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Modelling unsteady processes in semiconductors using a non-linear Sobolev equation

机译:使用非线性Sobolev方程为半导体中的非稳态过程建模

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摘要

We study an initial-boundary value problem for a non-linear Sobolev equation containing a summand non-local in time and an inhomogeneity. The equation simulates unsteady processes in semiconductors. We find sufficient conditions for the unique solubility of the problem, both global in time and local (rather than global). In the case when the problem is soluble only locally, we find upper and lower bounds for the lifespan of a solution.
机译:我们研究了一个非线性Sobolev方程的初边值问题,该方程包含一个时间上非局部求和且不均匀。该方程式模拟半导体中的不稳定过程。我们找到了解决问题的独特解决方案的充分条件,无论是在时间上还是在局部(而不是全局)。在问题仅局部解决的情况下,我们找到了解决方案寿命的上限和下限。

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