縦型ホットウォール炉における低マイクロパイプ密度?厚膜4H－SiCエピタキシャル成長

摘要

縦型ホットウォール炉を用いて4H－SiCエピタキシャル成長を行い，マイクロパイプ密度の低減，並びに厚膜?低ドーピング濃度のエピタキシヤル層の形成を試みた．マイクロパイプ密度の低減は，基板中のマイクロパイプを複数の1cらせん転位に分解することにより達成した．マイクロパイプの分解?閉塞は，エピタキシャル成長時の原料ガス流量比（C／Si比）によって制御が可能で，比較的低いC／Si比において99.6％までの高いマイクロパイプ閉塞率を得た．次に，マイクロパイプの閉塞後に，比較的高いC／Si比において低ドーピング濃度層を連続的に成長し，マイクロパイプ密度が低減された厚膜の4H－SiCエピタキシヤル層を得た．これらのマイクロパイプの閉塞技術，並びに厚膜?低ドーピング濃度エピタキシヤル層の形成技術を適用した直径11.2mmφの大面積ショットキーバリヤダイオード（SBD），並びに耐電圧14.4kVの高電圧SBDの電気的特性の評価結果を併せて報告する．