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机译:基于GaN / IngaN的多量子阱发光二极管效率下垂的效率下垂通过不同的Si掺杂和厚度在阻挡层中
机译:通过制作整个势垒但掺杂底部Mg来提高AlGaN深紫外发光二极管的效率下降
机译:量子势垒中Mg掺杂对GaN基发光二极管效率下降的影响
机译:通过设计电子阻挡层减少GaN / IngaN多量子孔发光二极管的Si-掺杂屏障模型的效率下垂
机译:纹波下垂控制:使用交流电压注入的下垂控制来控制分布式存储设备。
机译:具有高镁掺杂效率的特别设计的超晶格p型电子阻挡层的几乎无效率下降的基于AlGaN的紫外线发光二极管
机译:InGaN多量子阱蓝色发光二极管的效率下降及其通过p掺杂量子阱势垒的降低