机译:具有不同原子表面终止的SiC-SiC纳米间隙中的界面热共振
Kyushu Institute of Technology;
机译:Growth of 6Hndash;SiC on 6Hndash;SiC(0001) by migration enhanced epitaxy controlled to an atomic level using surface superstructures
机译:Counter-Doped JTE, an Edge Termination for HV SiC Devices With Increased Tolerance to the Surface Charge
机译:Electronic and chemical passivation of hexagonal 6H-SiC surfaces by hydrogen termination
机译:否–二氧化碳CO_2 –碳化硅MOSFET – – CO _2 _2 _2 _2 _2 _2 _2 SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC Š
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:氧化损伤对使用国内高尼克隆型SiC纤维的SiC / SiC复合材料力学性能的影响
机译:Isolatin sic细菌产生了双活性sic代谢物sic细胞毒性化合物,以便在珊瑚礁sic波斯湾(拉拉克岛)中产生sic抗癌物质。
机译:siC / siC复合材料的辐射效应和微观力学(1990年12月1日 - 1993年11月14日)和siC / siC复合材料在聚变环境中的力学行为模拟(1993年11月15日 - 1996年11月14日)。最终报告,1990年12月1日 - 1996年11月14日