Estudio de la incorporacion de iones de Er y Nd en galio antimonio crecido por el metodo Bridgman

摘要

En este trabajo se ha realizado el estudio de cristales de GaSb crecidos por el metodo Bridgman y dopados con Er y Nd con distintas concentraciones. Se han realizado analisis de absorcion atomica pudiendose obtener el coeficiente de segregacion lectivo de ambos dopantes a lo largo de la direccion de crecimiento del material. Mediante medidas de efecto Hall se ha determinado el tipo de portadores mayoritarios (huecos) asi como los valores de la movilidad, la densidad de portadores y la resistividad para cada una de las concentraciones. Los analisis de dispersion de energias de rayos X (EDAX) y de microscopio electronico de barrido (SEM) han demostrado la presencia de agregados formados por los iones de tierras raras y Sb para las concentraciones de dopante mas altas. La reduccion de los defectos nativos tales como las vacantes de Ga y Ga en posicion de Sb por los iones de Er ha sido tambien demostrado a traves de analisis de catodoluminiscencia.