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机译:放松和双极性电运输在砷化镓/ InSb核壳纳米线
Julich Aachen Res Alliance Fundamentals Future In, Julich, Germany;
Univ Siegen, Festkorperphys, D-57068 Siegen, Germany;
Forschungszentrum Julich, Peter Grunberg Inst PGI 9, D-52425 Julich, Germany;
PARTIAL DISLOCATIONS; High resolution transmission electron microscopy; gate voltageStrain relaxationNanowiregallium arsenidesCarrier densitysphaleriteambipolar;
机译:$ {rm Ge} {hbox {-}} {rm Si} _ {1 {hbox {-}} {rm x}} {rm Ge} _ {rm x} $ Core-Shell Nanowire $ n的实现和扩展场效应管
机译:室温光盘液晶三苯基 - 戊炔基苯苯二苯基苯并苯苯二苯并苯苯并苯并苯苯二甲苯二氧化碳及其与Ambipolar Charget Transport行为的电荷转移复合物(Vol 7,PG 5724,2019)
机译:InSb / GaAs和InSb / Si通道中的低频噪声
机译:GaAs / Algaas Core-Shell集合纳米线光电探测器
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:窄带隙半导体内部INSB纳米线的Ambipolar传输
机译:反向停滞点流动几何中Gaas和Insb中Insb的金属有机化学气相沉积