Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe: In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами

摘要

Исследованы характеристики МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe: In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей могут быть вызваны сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в области примерно Т ≈ 15-20 К.