Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm_(1-x)Gd_xS

摘要

Исследовано влияние концентрации Gd на температурный и барический коэффициенты электросопротивления тонких поликристаллических пленок твердых растворов системы Sm_(1-x)Gd_xS, где х = 0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.33 и 0.5. Пленки изготовлены методом взрывного испарения в вакууме порошков исходных соединений и седиментацией последних из газовой фазы на стеклянные подложки. Получены зависимости температурного а и барического β коэффициентов электросопротивления, а также их отношения у от концентрации х Gd в системе твердых растворов SmS-GdS, на основании которых определены оптимальные составы для изготовления тонкопленочных тензо- и барорезисторов.