ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ НА ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДА НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНОК GdHgTe И Al_2O_3, ВЫРАЩЕННОГО МЕТОДОМ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

摘要

Исследовано влияние различных обработок поверхности плёнок Hg_(1-х)Cd_xTe (KPT) перед нанесением диэлектрика Al_2O_3 методом атомно-слоевого осаждения на величину заряда на границе раздела диэлектрик -полупроводник. Изготовлены структуры МДП с различной обработкой поверхности перед нанесением диэлектрика. Проведены измерения вольтфарадных характеристик структур МДП на КРТ, и определена плотность поверхностного заряда. На поверхности плёнок состава х = 0, 22 с естественным окислом поверхностный заряд распределён неоднородно и составляет (0, 8-1, 8) · 10~(-8) Кл/см~2, что может приводить к инверсии типа проводимости на поверхности. Выдержка структур КРТ в парах ртути при комнатной температуре приводит к формированию отрицательного заряда в диапазоне - (0, 4 -1, 6) · 10~(-8) Кл/см~2.