机译:测定Si晶格参数中的晶片角度的测量
INRIM Ist Nazl Ric Metrol Str Cacce 91 I-10135 Turin Italy;
INRIM Ist Nazl Ric Metrol Str Cacce 91 I-10135 Turin Italy;
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Si lattice parameter; crystal orientation; x-ray interferometry; kilogram realisation;
机译:使用会聚束电子衍射对Si(001)衬底上的成分控制的Si(1-x)Ge(x)层进行晶格参数确定。
机译:Laue-case双晶衍射法测量Si晶格参数时的晶格应变效应
机译:Si(111)基板错切角度对InGaN LED性能的影响
机译:随着一些形状记忆合金的奥氏体和马氏体晶格参数测量奥氏体转化表面测定(奥氏体→Martensite)呢?
机译:使用角射束声弹性测量法单侧超声确定三阶弹性常数。
机译:通过Au辅助分子束外延生长后的GaAs(111)纳米线和Si(111)衬底之间的晶格参数调节
机译:Si晶格参数测定中的晶片角度的测量
机译:冷加工a-Cu-Zn和a-Cu-sN填料的晶格参数和线剖面测量确定堆垛层错概率和内应变