机译:H2S预退火治疗对HFO2 / Si1-XGEx界面和电性能的影响(x = 0-0.3)
Sungkyunkwan Univ Sch Adv Mat Sci &
Engn Suwon 16419 South Korea;
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Engn Suwon 16419 South Korea;
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Engn Suwon 16419 South Korea;
Sungkyunkwan Univ Sch Adv Mat Sci &
Engn Suwon 16419 South Korea;
Hanyang Univ Dept Mat Sci &
Chem Engn Ansan 15588 South Korea;
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Engn Suwon 16419 South Korea;
机译:Ti / Pt / HfO2 / InAspMOS电容器的电学和界面特性的栅叠工程和热处理
机译:超薄GE3N4钝化层对HFO2 / GE金属氧化物半导体器件结构,界面和电性能的影响
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机译:使用HFO2的HFO2用于异构整合的急剧可靠性改善
机译:界面水的电学性质及其应用
机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
机译:Si,Si1-XGex和GE基材上ALD HFO2薄膜高k特性与界面化学结构的相关性
机译:用H2s钝化siNx / Inp界面的电学性质