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机译:新型环己烷型硅前体和两步等离子体用于氮化硅的等离子体增强原子层沉积
Sejong Univ Dept Nanotechnol &
Adv Mat Engn 209 Neungdong Ro Seoul 05006 South Korea;
DNF Co Ltd 142 Daehwa Ro 132 Beon Gil Daejeon 34366 South Korea;
DNF Co Ltd 142 Daehwa Ro 132 Beon Gil Daejeon 34366 South Korea;
Sejong Univ Dept Nanotechnol &
Adv Mat Engn 209 Neungdong Ro Seoul 05006 South Korea;
silicon nitride; plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD); cyclosilazane; three-step PEALD; step coverage; wet etching rate;
机译:新型环己烷型硅前体和两步等离子体用于氮化硅的等离子体增强原子层沉积
机译:金属-有机硅前驱体和氧自由基通过等离子体增强原子层沉积获得的高质量低温氧化硅
机译:二氯硅烷热分解对氮化硅等血浆增强原子层沉积的理论评价:表面氢的重要作用
机译:高度共形等离子体增强的原子层沉积硅通过3D互连高纵横比通过硅的二氧化硅衬里
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:反应机理对氧化硅和氮化硅原子层沉积中前驱体暴露时间的影响