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机译:使用顺序氧化和氯化W金属的热原子层蚀刻的机理:第一原理研究
Univ Coll Cork Tyndall Natl Inst Cork T12 R5CP Ireland;
Univ Coll Cork Tyndall Natl Inst Cork T12 R5CP Ireland;
Intel Corp Hillsboro OR 97124 USA;
Intel Corp Hillsboro OR 97124 USA;
Intel Corp Hillsboro OR 97124 USA;
atomic layer etching; transistor contacts; density functional theory; self-limiting reaction; atomistic simulations; first principles;
机译:使用顺序氧化和氯化W金属的热原子层蚀刻的机理:第一原理研究
机译:通过使用氟化氢和三甲基铝的顺序暴露的“转化蚀刻”机理通过“转化蚀刻”机理热原子层蚀刻ZnO
机译:使用HF和各种金属前体的连续暴露的氧化镓的热原子层蚀刻
机译:通过三甲基铝和氟化氢(PPT)的顺序反应,通过“转化蚀刻”机理的热原子层蚀刻。
机译:各种氧化物薄膜原子层沉积和热原子层蚀刻工艺的机械研究
机译:氧化锌原子层沉积的研究第一性原理的水脉冲反应
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