机译:跨越金刚石装置的室温粘合GaN /金刚石界面的界面热传导
Georgia Inst Technol George W Woodruff Sch Mech Engn Atlanta GA 30332 USA;
Meisei Univ Collaborat Res Ctr Hino Tokyo 1918506 Japan;
Georgia Inst Technol George W Woodruff Sch Mech Engn Atlanta GA 30332 USA;
Meisei Univ Collaborat Res Ctr Hino Tokyo 1918506 Japan;
Georgia Inst Technol George W Woodruff Sch Mech Engn Atlanta GA 30332 USA;
interfacial thermal conductance; heterogeneous integration; surface activated bonding; GaN-on-diamond; TDTR;
机译:跨越金刚石装置的室温粘合GaN /金刚石界面的界面热传导
机译:用于GaN-On-indond设备的低热界电阻界面
机译:GaN外膜厚度对金刚石装置的近结热阻的影响
机译:微波器件GaN型金刚石材料的界面机械稳定性
机译:外延金属-半导体界面的界面热导
机译:单个GaN纳米线器件的接触界面分析
机译:用于GAN-金刚石装置的室温粘合GaN /金刚石界面的界面热敏性
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。