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机译:散装Bi2Te3合金中原子层精密接口工程,高热电性能
KIST Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
KIST Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Mat Architecturing Res Ctr Seoul 02792 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Mat Architecturing Res Ctr Seoul 02792 South Korea;
Chonbuk Natl Univ IPIT Jeonju 54896 South Korea;
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KIST Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
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KIST Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
thermoelectric; bismuth antimony telluride; ZnO; atomic layer deposition; p-type; heterogeneous interface;
机译:散装Bi2Te3合金中原子层精密接口工程,高热电性能
机译:通过载流子能量过滤效应增强嵌入(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8的β-Zn4Sb3合金块体的热电性能
机译:通过原子层沉积方法在Bi2te2.7Se0.3热电材料中的有效原子界面工程
机译:Bi2Te3基合金制成的微型热电模块的制备和性能模拟
机译:多尺度缺陷工程和界面修饰,可增强纳米结构体材料的热电性能。
机译:无机与有机成分界面在Bi2Te3-聚吡咯块复合材料中的热电性能下的影响
机译:原子层沉积氧化钴超薄膜制备镍氧化物包覆的n-Si光电阳极的光电化学性能的界面工程