机译:通过原子层沉积制备的未掺杂HFO2薄膜的膜厚度依赖性铁电偏振切换动力学
Kyung Hee Univ Dept Adv Mat Engn Informat &
Elect Yongin 17104 Gyeonggi Do South Korea;
Elect &
Telecommun Res Inst Daejeon 34129 South Korea;
Kyung Hee Univ Dept Adv Mat Engn Informat &
Elect Yongin 17104 Gyeonggi Do South Korea;
HfO2; Dopant-free; Ferroelectricity; Switching dynamics; Synapse devices;
机译:通过原子层沉积制备的未掺杂HFO2薄膜的膜厚度依赖性铁电偏振切换动力学
机译:原子层沉积制备的SnS2薄膜的厚度依赖性结构和性能
机译:化学溶液沉积制备(Ba0.50Sr0.50)(Ti0.80Sn0.20)O3薄膜的纳米铁电可转换极化和漏电流行为
机译:原子层沉积(有和没有后退火)制备的氧化锆,氧化HA和氧化HA氧化锆(HZO)超薄膜的铁电性和结晶性
机译:用原子层沉积制备的高表面积钛酸盐(Atioα3)薄膜的研究
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:原子层沉积制备的HfO2薄膜的电阻转换特性及其1D1R器件