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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics >InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性一半導体光増幅器の実現に向けて-
【24h】

InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性一半導体光増幅器の実現に向けて-

机译:INAS / GAAs COLUMNA量子点的光学增益极化特性朝向实现一个MISCAL光学放大器 -

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摘要

コラムナ量子ドットの光学利得をVSL(Variable Stripe Length)法を用いて測定した。 コラムナ量子ドットはStranski-Krastanow成長モード]nAs島層を密接に積層し成長させた量子ドットである。 この積層数を変化させることにより量子ドットのアスペクト比を制御することが出来る。われわれはコラムナ量子ドットの光学利得の積層数依存性について詳細に調べた。 その結果、積層数が増加するにつれ、TMモードに高感度な利得特性を示すことが明らかになった。 また、量子ドットの積層数7層でTE、TMのモードに対してほぼ等方的な利得特性を示すことを見出した。
机译:使用可变条纹长度测量Colamana量子点的光学增益。 Colamana量子点是Stranski-krastanow生长模式]量子点,其中NAS岛层紧密层压并生长。 通过改变堆叠层的数量,可以控制量子点的纵横比。 我们详细研究了COLUMNA量子点的光学增益的数量依赖性。 结果,随着层压数的数量增加,变得清楚的是,TM模式表示高灵敏度增益特性。 此外,还发现它表明了相对于TE,TM的模式的几乎各向同性的增益特性,在堆叠的量子点的数量中。

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