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【24h】

シリコンウエーハに起因したデバイス不良とウエーハエンジニアリング:構造欠陥および不純物汚染の導入と評価

机译:由于硅晶片导致的装置缺陷和晶片工程:结构缺陷和杂质污染的引入和评估

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摘要

今回は、ウエーハの製造プロセスおよびデバイスの製造プロセスにおける構造欠陥および不純物汚染の導入に関して解説するとともに、構造欠陥、不純物およびウエーハの表面状態の評価方法を解説する。
机译:这次,我们描述了在晶片的制造过程中引入结构缺陷和杂质污染,并解释了如何评估结构缺陷,杂质和晶片表面。

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