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【24h】

液浸技術拡張による微細化:22nm HP以降の微細化に要求される液浸露光装置精度

机译:浸没技术膨胀扩大:22 nm HP后小型化所需的浸入式暴露装置精度

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摘要

本稿では、22nmHP以降の世代に対応できる液浸露光装置の最新技術および主要性能を紹介する。本稿で紹介した液浸露光装置の性能から、液浸技術で、22nmHP世代に十分対応できることが言える。実際に、ダブルパターニングによる22nm、25nmL/Sを露光した結果(写真1)を見ると、パターンがきれいに形成されているのが分かる。さらに、S620Dは、将来、拡張できるプラットフォームを採用しているので、1X nm世代にも対応できる。液浸技術の拡張により、更なる半導体の微細化が期待できる。
机译:在本文中,我们介绍了在22 NMHP之后可以处理几代人的最新技术和关键性能。 从本文介绍的浸没式曝光装置的性能来看,可以说,通过浸入技术可以响应22 NMHP生成。 实际上,可以看出,通过通过双重图案化观察暴露22nm和25 nml / s的结果来形成清洁。 此外,由于S620D将来采用扩展平台,因此它可以应对1X NM生成。 可以预期浸入技术的扩展将小型化进一步的半导体。

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