SiC パワーモジュールの配線インダクタンスが過渡特性に及ぼす影響に関する一検討

摘要

電力変換回路のさらなる低損失化の実現に向け、次世代パワー半導体デバイスによるスイッチング速度の高速化の検討が進められている。しかし、高速スイッチング動作は回路配線の寄生インダクタンスとの相互作用によってサージを発生させ、回路から生じる EMI ノイズの一要因となる。サージや EMI ノイズの低減を図るためには、回路や素子の寄生成分のモデル化及びそれに基づく回路設計を行うことが必要である。本検討では配線構造の異なる SiC パワーモジュールを対象とし、部分要素等価回路法を用いた配線インダクタンスのモデル化の検討及び降圧 DC/DC コンバータにおける過渡特性の評価を行った。さらにスナバコンデンサによるサージ電圧抑制効果についてもあわせて検証した。