GaN HEMTを用いてS帯内部整合型E級増幅器の設計·試作をした．スイッチ動作による高効率動作として時間領域で説明されるE級動作増幅器を周波数領域により設計を行い，入出力整合回路のすべてをパッケージに入れた．ドレーン電圧22Vでパルス動作による測定を行った結果，2.6GHzでドレーン効率72.3％，出力電力100W，2.55GHzから2.85GHzでドレーン効率70％以上を実現した．またドレーン電圧18Vでは，2.7GHzでドレーン効率の最大値は78.1％で出力電力60W，2.5GHzから2.9GHzでドレーン効率70％以上を実現した．
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