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二つの電流源をもつEMCマクロモデルLECCS-I/OによるCMOSインバータICの電源および出力電流シミュレーション

机译:带有两个电流源的EMC宏模型LECCS-I / O的CMOS逆变器IC的电源和输出电流模拟

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摘要

プリント回路基板のEMC設計において,IC/LSIのEMCマクロモデルの優位性はますます高まっている.EMI放射は電源だけでなく出力系の高周波電流も原因となるため,出力端子電流のモデル化も重要である.本報告では,従来の電源系解析だけでなく出力系解析を考慮したLECCS-I/Oモデルを構築する.測定より二つの電流源をもつLECCS-I/Oモデルを構築し,電源および出力端子電流のシミュレーション精厚を検証した.また電流源が一つのLECCS-I/Oモデルとの比較も行った.その結果,電源電流シミュレーションでは,両モデルとも500MHz以下の周波数で精度よく一致していた.一方,出力電流シミュレーションでは,電流源が一つの場合に大きな誤差が生じているのに対七て,電流源が二つの場合では500MHz以下の周波数で精度よく一致した.
机译:在印刷电路板的EMC设计中,IC / LSI EMC宏模型的优点越来越多地增加。 由于EMI辐射不仅引起电源,而且还引起输出系统的高频电流,因此输出端电流的建模也很重要。 在本报告中,考虑到常规电源分析,而且还考虑了常规电源分析的LECCS-I / O模型。 构造了具有两个电流源的LECCS-I / O模型,验证了电源和输出端电流的模拟厚度。 此外,将电流源与一个LECCS-I / O模型进行比较。 结果,在电源电流仿真中,两种型号也达成500 MHz或更少的频率。 另一方面,在输出电流模拟中,即使电流源在一个情况下具有很大的误差,在两种情况下,在500MHz或更小的频率下,电流源的高精度调整。

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