劣勾配法によるプロセスばらつきを考慮したマスク最適化手法

摘要

製造プロセスの微細化のために，光リソグラフィによる半導体加工技術の進展が求められている．光リソグラフィの解像度を改善する技術のうち，ウェハ上に転写されるパタンの忠実性をマスク最適化によって改善する技術を光近接効果補正（Optical Proximity Correction, OPC）と呼び，光リソグラフィの進展において重要な役割を担っている．本稿では，マスク最適化問題に対して，ラグランジュ緩和法と劣勾配法を用いることで，プロセスばらつきに対する耐性を持つマスクを生成する手法を提案する．計算機実験において，パタンの忠実度が高く，プロセスばらつきへの耐性が高いマスクを短時間で提案手法により生成可能であることを確認する．