CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性: 銅配線上の異常成長とその要因

摘要

現在、最先端の半導体デバイスにおいては12層以上の銅配線が形成されており、各層毎に銅めっき膜形成とCMP（Chemical Mechanical Polishing）による平坦化が施されている。銅配線の微細化進行に伴いCMP及びCMP洗浄後を実施した後に24時間程度経過すると、経時により銅細線上に銅酸化物の異常成長が認められた。本発表でデバイス製造における銅配線の形成工程において、CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性について報告する。