光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価

摘要

放射光の特徴である高輝度性と波長可変性を利用してゲート絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態とバンドオフセットの評価法を開発した。 具体的には、放射光光電子分光とX線吸収分光を用いてSi酸化膜、窒化膜およびHigh-k酸化膜のバンドオフセットを決定し、エネルギー損失スペクトルと比較を行った。 また、in-situ加熱による結晶化についても、価電子スペクトルとX線吸収スペクトルによって定性的評価が可能であることを初めて見出した。