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【24h】

MTCMOS回路の遅延時間モデリングと静的タイミング解析への応用手法

机译:MTCMOS电路延迟时间建模与应用方法静态定时分析

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摘要

MTCMOS技術を適用した回路の設計において、回路の遅延時間を短時間に予測することは重要な課題である。 本稿では、従来の静的遅延解析(STA)手法をMTCMOS (Multiple-Threshold CMOS)回路設計に向けて拡張した手法を提案する。 提案手法では、MTCMOS回路の遅延時間に影響する入力遷移時間、出力容量、仮想グランド線長、パワースイッチサイズによるLook-up TableをSPICEシミュレーションにより作成し、論理セルごとに線形補間計算を行なうことによって回路遅延時間を算出する。 本手法をクリティカルパス遅延計算へ適用した結果、良い精度で遅延計算が可能であることを示す。
机译:在应用MTCMOS技术的电路的设计中,它是在短时间内预测电路延迟时间的重要问题。 在本文中,我们提出了一种将传统的静态延迟分析(STA)技术扩展到MTCMOS(多阈值CMOS)电路设计。 所提出的方法创建输入过渡时间,输出电容,虚拟地线长度和具有电源开关大小的查找表,并通过Spice仿真执行线性插值计算,并对每个逻辑单元进行线性插值计算计算电路延迟时间。 作为将该方法应用于关键路径延迟计算的结果,它表明延迟计算具有良好的准确性。

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