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MTCMOS回路の遅延時間モデリングと静的タイミング解析への応用手法

机译:MTCMOS电路的延迟时间建模和静态时序分析的应用方法

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摘要

MTCMOS技術を適用した回路の設計において、回路の遅延時間を短時間に予測することは重要な課題である。 本稿では、従来の静的遅延解析(STA)手法をMTCMOS (Multiple-Threshold CMOS)回路設計に向けて拡張した手法を提案する。 提案手法では、MTCMOS回路の遅延時間に影響する入力遷移時間、出力容量、仮想グランド線長、パワースイッチサイズによるLook-up TableをSPICEシミュレーションにより作成し、論理セルごとに線形補間計算を行なうことによって回路遅延時間を算出する。 本手法をクリティカルパス遅延計算へ適用した結果、良い精度で遅延計算が可能であることを示す。
机译:在设计应用MTCMOS技术的电路时,预测电路在短时间内的延迟时间是一个重要的问题。在本文中,我们提出了一种将传统的静态延迟分析(STA)方法扩展到MTCMOS(多阈值CMOS)电路设计的方法。在提出的方法中,通过SPICE仿真创建了一个基于输入跃迁时间,输出电容,虚拟地线长度和电源开关大小的查询表,该表会影响MTCMOS电路的延迟时间,并针对每个逻辑单元执行线性插值计算。计算电路延迟时间。将这种方法应用于关键路径延迟计算的结果表明,延迟计算的准确性很高。

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