金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路

摘要

酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは異なり、酸化バナジウムは内部にジュール熱を蓄積し、それによって金属絶縁体転移を引き起こす。この酸化バナジウムの熱蓄積の効果を用いることで、入力パルス電圧を時間平均し、それによってニューロン回路を作製した。キャパシタによって回路の微細化がしばしば律速されることを考えれば、キャパシタの代わりに金属絶縁体素子を用いる本研究によって、ニューロン回路の微細化が促進されると期待できる。