タンタル酸ナノシート／SiO_2／Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果

摘要

ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラメータのーつである。しかしながら、分光学的アプローチにおいては成膜プロセスの違いやチャージングによるスペクトル変動の影響が大きく、高精度なバンドオフセット予測を行うのが困難であった。そこで我々は表面電荷反転XPS 法を開発し、これを用いてUV照射の有無によりTaNS／Si界面バンドオフセットがどのように変動するのか調査した。その結果TaNS／SiO_2界面ダイポールが変動し、2サイクル積層試料についてバンドオフセットが増大することがわかった。