プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上

摘要

本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入することで，しきい値電圧が読み出し時と書き込み時に非対称なパスゲートトランジスタを実現する手法を提案する．これにより書き込み特性の劣化，プロセス工程の追加，セル面積の増加なしにスタティックノイズマージンが24％向上することがわかった．さらに本手法ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのみに電子を注入することでSRAMの読み出しの安定性を70％向上させることも可能である．自己修復は電子注入を多数のセルにおいて同時に行うことが可能である．