磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）

摘要

本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続したSPRAM素子を用いてメモリセルを構成することで、その磁化反転による抵抗変化の組み合わせにより4レベルの抵抗値、すなわち2bit/cellを実現した。多値化のための必要条件は、2つのSPRAM素子が互いに平面面積のみ異なっていればよい。また、書き換え·読み出し動作として、2段階のシーケンスを用いる方式を考案した。