Термостабильные углеродно-кислородные комплексы в облученных кристаллах кремния

摘要

Методом ИК поглощения изучена природа основных примесно-дефектных кластеров, вводимых электронным облучением в кристаллы кремния с разным содержанием примесных атомов кислорода и углерода при температуре облучения Т_(обл) = 30 - 600°C. Получены зависимости эффективности образования оптически активных центров разного типа от температуры облучения. В углеродосодержащем Sii происходит радиационно-стимулированное формирование комплексов углерод замещения - кислородный димер (Т_(обл) = 450°C). При Т_(обл) = 500°C обнаружены ранее не наблюдавшиеся центры вакансия - кислородный тример - углерод, которые обусловливают колебательные полосы поглощения 902, 956 и 1025 см~(-1).