レーザ超音波による半導体プロセスの温度計測－シリコンウエーハの温度を非接触·精密計測

摘要

半導体プロセス中のウエハー温度を非接触·精密測定するために、100MHzのレーザ超音波とパルスエコーオーバラップ法、新しい回折補正方法を組み合わせたシステムを開発した。 これを用いてシリコンウエハーの温度計測を行い、500°C及び1000°Cにおける温度分解能を評価した。