鉛を含まない強誘電体メモリ－材料の進展：欠陥制御による分極特性の向上

摘要

強誘電体は、電界をゼロにしても分極を保持する機能をもつ。 この分極ヒステリシス特性（第1図参照）を利用して、"消えない"メモリーが実現可能なことから、不揮発性メモリーをターゲットとした強誘電体薄膜の研究が、国内外を問わず、盛hに行われている。 メモリー材料としての強誘電体には、大きい残留分極(P{sub}r)をもつこと、低い電界で分極反転が可能（抗電界Ecが小さい）なこと、特性が劣化しない（耐疲労特性に優れている）ことが要求される。 現在有望な材料として、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）とビスマス層状構造をもつSrBi{sub}2Ta{sub}2O{sub}9 (SBT) が挙げら、実用化されつつある。