光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェンの結晶性と電気特性：H_2と如キャリアガスの比較

摘要

電子デバイスの高集積化は大規模集積回路（LargeScaleIntegration：LSI）の微細化によって進められてきたが，近年その限界は材料の物理的特性によって決められるまでに至った。このような物理的特性を打破するため，電子デバイスに新たな材料を用いる試みが進められている。新材料の中でも，グラフェンやカーボンナノチューブ（CNT）を用いたカーボンエレクトロニクスが注目をあつめている。