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プラズマCVDを用いたステップカバレッジに優れたシリコン酸化膜作製

机译:使用等离子体CVD制备的氧化硅膜具有优异的阶梯覆盖物

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摘要

以上のように今回,低温でカバレッジ性の優れたシリコン酸化絶縁膜の成膜技術を紹介した。 この威厳技術は今後更にモバイル情報端末の小型化や高機能化にともなう高密度実装に対して必要不可欠な技術である。 また,多様な用途や要求のあるMEMSにおいても立体構造物へのカバレッジ性の向上や,梁や自立膜などの膜応力制御が必要な工程の改善に応用できる技術と考えている。 このカソードカップリングCVD装置は量産装置としての多くの実績があり,更に今後の三次元実装やMEMSの発展に寄与できるものと考えている。
机译:如上所述,引入了具有优异覆盖的氧化硅绝缘膜的成膜技术,具有低温的优异覆盖。 这种尊严技术是一种技术对于移动信息终端的高密度安装以及小型化和高功能性是必不可少的。 另外,在具有各种应用和要求的MEMS中,认为覆盖性是三维结构的覆盖性质,以及改善需要梁和独立膜的薄膜应力控制的过程。 该阴极耦合CVD器件具有许多结果作为批量生产装置,并且相信它可以有助于开发三维实现和MEMS。

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