SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発

藪内誠; 新居浩二; 田中信二; 篠崎義弘; 山本芳樹; 長谷川拓実; 新川田裕樹; 蒲原史朗

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SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発

机译：SOTB过程的低功耗嵌入式SRAM的开发

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65nm SOTBプロセスを用いて混載SRAMを開発した．基板バイアスを制御することで，スリープモード時に13.72nW／Mbitという超低電力を達成し，高速モードにおいては1.84nsのアクセスタイムを得た．またSRAMのワード線パルス幅の局所最適化制御を用いることで20%程度の読み出し電力削減を得た．

机译：使用65 nm SOTB工艺开发混合SRAM。通过控制衬底偏压，它在睡眠模式下实现了超低功率为13.72 nW / Mbit，并在高速模式下获得1.84ns的访问时间。此外，我们通过使用SRAM字线脉冲宽度的局部优化控制获得约20％的读取功率降低。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2017年第167期|共4页
作者
藪内誠; 新居浩二; 田中信二; 篠崎義弘; 山本芳樹; 長谷川拓実; 新川田裕樹; 蒲原史朗;
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作者单位

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

日本システムウエア株式会社;

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

株式会社ルネサスエレクトロニクス;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
SRAM; SOTB; 低消費電力; 基板電圧制御;

机译：SRAM;SOTB;低消费电力;基板电圧制御;

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