SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発

机译：通过SOTB流程开发用于物联网的低功耗混合负载SRAM

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65nm SOTBプロセスを用いて混載SRAMを開発した.基板バイアスを制御することで，スリープモード時に13.72 nW/Mbitという超低電力を達成し，高速モードにおいては1.84nsのアクセスタイムを得た.また SRAMのワード線パルス幅の局所最適化制御を用いることで20%程度の読み出し電力削减を得た.

机译：我们使用65nm SOTB工艺开发了混合SRAM，通过控制板偏置，我们在睡眠模式下实现了13.72 nW / Mbit的超低功耗，在高速模式下实现了1.84 ns的访问时间。通过对SRAM的字线脉冲宽度进行优化控制，可获得约20％的读取功率降低。

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来源
《日本影像媒体学会信息传感研究会》|2017年|13-16|共4页
会议地点
作者
藪内　誠; 新居　浩二; 田中　信二; 篠崎　義弘; 山本　芳樹; 長谷川　拓実; 新川田　裕樹; 蒲原　史朗;
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作者单位

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关键词
SRAM; SOTB; 低消費電力; 基板電圧制御;

机译：SRAM; SOTB; 低消费电力; 基板电圧制御;

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