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公开/公告号CN209880162U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽大学;
申请/专利号CN201920971282.8
发明设计人 彭春雨;刘东;蔺智挺;卢文娟;吴秀龙;黎轩;陈军宁;
申请日2019-06-24
分类号
代理机构北京凯特来知识产权代理有限公司;
代理人郑立明
地址 230601 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
入库时间 2022-08-22 12:01:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
授权
机译: 一种具有高读和写容限的近阈值10T SRAM单元,用于三点FINFET技术
机译: 超低功耗,读取去耦差动写入,10T SRAM单元,具有更高的读取/写入噪声容限
机译: 超低功耗SRAM单元电路,具有用于近阈值和亚阈值操作的电源反馈环路
机译:低功耗近阈值10T SRAM位单元,具有增强的与数据无关的读取端口泄漏功能,用于32nm CMOS阵列增强
机译:读/写余量增强的10T SRAM用于低压应用
机译:用于低功耗SoC的混合SRAM,具有更高的写裕度
机译:一种新的10T SRAM单元,具有低功耗的主动和睡眠模式,用于写入操作
机译:低功耗子GHz RF接收器前端,具有增强的阻塞容差
机译:具有ADR和TP混合控制的低功耗WSN协议
机译:超低功耗,工艺容差10T(pT10T)sRam,具有改进的物联网(IoT)应用的读/写能力
机译:石墨烯纳米片(GNp)增强沥青混合料:一种新型多功能路面材料。