製造装置·搬送環境の分子汚染制御

摘要

以下に、ITRS2007版にて製造装置·搬送環境の分子汚染制御に関する要求項目について要約する。リソグラフィの要求項目は、マスクへィズ対策に対応してレテクル保管環境が設定されアンモニアに加えこれまで管理されていなかった酸ィオンや有機物が太れら光現状の実力値と思われる数値が入ってきた。今後、発生メカニズムに沿った理論的な検討の進展が望まれる。配線の要求項目には、腐食性ガスのH2Sが欧米委員の提案で追加された。これはCu/Low－K配線の多層化に伴う暴露時間の増加による為と考えられる。しかじ、現状の要求値はメカニズムが解明されていないので検証が必要である。450mmについては、SEMIで活発な議論が始まった。クリーンルームとしては構造の検討がまず必要ではないかと思われる。なお、本報告は2008年4月の研究大会においてITRSシンポジウムで報告した「分子汚染制御」の内容から抜粋し一部追加したものである。