ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長と紫外発光ダイオードへの応用

摘要

ダイヤモンドは，大きなバンドギャップ，高い電子·正孔移動度，最高の熱伝導性，負の電子親和性などの優れた特性をもつ半導体材料である。その特長を電子デバイスに活用することを目指して，精力的な研究開発が行われてきた。 特に最近，長年の課題であったn形合成が，PドープとSドープとで達成が報告され，ようやくダイオード·トランジスタなどの試作検討が可能な段階に入ったといえる。 こうした状況下でわれわれが取り組hでいるのが，ダイヤモンドの紫外線発光ダイオード（LED）である。