半導体関連材料の精密研削加工

摘要

シリコンウェハを素材とする半導体デバイスは，ますます微細化と高性能化が進み，ウェハサイズも外径300㎜ウェハが本格的に使用されはじめるなど，大型化も進hでいる．また，携帯電話などに使用されるデバイスでは，小型大容量デバイスの要請から三次元高密度実装型パッケージが行われており，組立て工程でのウェハ裏面研削（バックグラインディング）で，薄く高強度に研削する需要が増えている．このように高精度化と大型化が同時に進行し，さらにそれらを薄く研削する需要など，シリコン半導体関連分野で，ダイヤモンドホイールによる研削加工の新しい展開が始まっている．