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【24h】

Siウエハ仕上げ加工に及ぼす加工変質層の影響の解析-ナノスクラッチ実験と分子動力学シミュレーションによる検討

机译:纳米离合器实验和分子动力学模拟分析加工改变层对Si晶圆整理过程检查的影响

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摘要

シリコンウエハの研削·研磨によって生じる加工変質層は,その後の仕上げ加工における加工能率·品質に大きな影響を及ぼす.本研究では,ナノスクラッチという実際の研削·研磨に比べ単純とされる手法を用い,前加工により生成した加工変質層がその後の仕上げ加工に及ぼす影響を調べた.そこでは,走査型プローブ顕微鏡上で単結晶ダイヤモンドプローブによってシリコンウエハ上に前加工スクラッチを施した後,前加工領域をさらに後加工スクラッチする方法を用い,前および後加工条件によってスクラッチ溝が受ける影響を調べた.さらに,材料内部で生じる現象などを明らかにするため,実験と同様な材料による分子動力学シミュレーションも試みた.その結果,前加工により生成した加工変質層の深さは,前加工荷重の増大につれて深くなることを確認し,後加工荷重の上昇に伴い,加工変質層のみの除去からバルクの除去が混在するように推移すること,さらには,加工変質層を除去する割合が高くなるにつれて,相対的にスクラッチ溝は深くなる傾向を示すことなどを明らかにし,加工モデルを提案した.
机译:由硅晶片的研磨和抛光引起的加工降低层对随后的精加工过程中的加工效率和质量产生了重大影响。在该研究中,我们使用了与实际纳米离合器的实际研磨和抛光相比的方法,并检查了先前过程产生的加工改变层对随后的精加工过程的影响。因此,在在扫描探针显微镜上施加在硅晶片上的前加工划痕之后,进一步处理在硅晶片上的方法,进一步处理预处理区域的方法,根据前部刮擦划痕槽的影响和后处理条件。我检查了。此外,为了阐明材料内部产生的现象,还尝试了与实验相同的材料的分子动力学模拟。结果,通过预处理的预处理负荷确认由预先计算产生的处理后改变层的深度被加深,并且由于柱子的增加而仅从移除处理改变的层中,将散装的移除混合- 处理负荷。如所依赖的那样,即使除了除去处理后的改变层的速率而增加时,划痕槽也相对相关,以表明要加深的趋势,并提出了处理模型。

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