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Siウエハ仕上げ加工に及ぼす加工変質層の影響の解析-ナノスクラッチ実験と分子動力学シミュレーションによる検討

机译:通过纳米划痕实验和分子动力学模拟分析改变工作层对硅片精加工检验的影响

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摘要

シリコンウエハの研削·研磨によって生じる加工変質層は,その後の仕上げ加工における加工能率·品質に大きな影響を及ぼす.本研究では,ナノスクラッチという実際の研削·研磨に比べ単純とされる手法を用い,前加工により生成した加工変質層がその後の仕上げ加工に及ぼす影響を調べた.そこでは,走査型プローブ顕微鏡上で単結晶ダイヤモンドプローブによってシリコンウエハ上に前加工スクラッチを施した後,前加工領域をさらに後加工スクラッチする方法を用い,前および後加工条件によってスクラッチ溝が受ける影響を調べた.さらに,材料内部で生じる現象などを明らかにするため,実験と同様な材料による分子動力学シミュレーションも試みた.その結果,前加工により生成した加工変質層の深さは,前加工荷重の増大につれて深くなることを確認し,後加工荷重の上昇に伴い,加工変質層のみの除去からバルクの除去が混在するように推移すること,さらには,加工変質層を除去する割合が高くなるにつれて,相対的にスクラッチ溝は深くなる傾向を示すことなどを明らかにし,加工モデルを提案した.
机译:由硅晶片的研磨和抛光产生的加工改变层对随后的精加工过程中的加工效率和质量有很大的影响。在这项研究中,我们研究了通过预处理产生的工作改变层对随后使用称为纳米划痕的方法进行的精加工的影响,该方法比实际的研磨和抛光更简单。在那里,我们使用了一种方法,该方法是在扫描探针显微镜上用单晶金刚石探针对硅晶片进行预刮擦,然后进一步对预加工区域进行后刮擦,以及根据前处理条件和后处理条件对刮痕凹槽的影响。被调查了。此外,为了澄清发生在材料内部的现象,我们还尝试了使用与实验中相同的材料进行分子动力学模拟。结果证实,随着预加工载荷的增加,通过预加工产生的加工改变的层的深度变得更深,并且随着后加工载荷的增加,仅改变加工改变的层和整体的移除混合在一起。此外,我们弄清了随着去除加工后的蚀变层的比率增加,划痕槽趋于变深,并提出了加工模型。

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