...
首页> 外文期刊>Приборы и техника эксперимента >УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ИЗ СУБЛИМАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА НА ПОДЛОЖКАХ СТАНДАРТНОЙ ФОРМЫ
【24h】

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ИЗ СУБЛИМАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА НА ПОДЛОЖКАХ СТАНДАРТНОЙ ФОРМЫ

机译:用于在标准形式基板上从升华源生长硅层的装置

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Описано устройство для осаждения из сублимационного источника слоев кремния на подложках стандартной формы - дисках диаметром 52 - 100 мм. Источник кремния - монокристалл, нагретый до температуры 1300 - 1380°C, - совершает качание относительно подложки, что позволяет получать слои равномерной толщины и однородно легированные по площади подложки.
机译:用于从直径为52的标准形式的衬底上沉淀硅层的升华源的装置为100mm。 硅源是加热到1300-1380℃的温度的单晶,“相对于基板执行摆动,这允许获得均匀厚度的层并均匀地掺杂通过基板区域。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号