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【24h】

研削技術者のための3Dで見る「考える研削加工」へのアプローチ<15>

机译:3D磨削工程师“思想磨削加工”方法<15>

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摘要

図8.15は本研究の初期の段階での実験結果で、ビトリファイドボンドのダイヤモンド砥石SD8000CRで、ジルコニアセラッミクスを平面ホーニング加工したときの仕上げ面粗さと断面曲線の変化の例である[1]。工作物の(a)前加工面は、粒度#400のダイヤモンド砥粒でラッピング加工した面(1.6μmRz)である。加工開始直後は、前節で述べたように、工作物表面の山頂部に加工圧が集中するため、急速に平滑化され、わずか(b)3secで仕上げ面粗さは0.67μmRzに減少した。その後(c)6sec後、(d)15sec後の状態を経て、(e)1minで、前加工面の研削条痕やスクラッチがほとhど除去され、70nmRzの粗さが得られた。このように、平面ホーニングは通常の研削に近い条件で加工が行われるので、短時間で鏡面が得られることが明らかになっていた。しかし当時は、このような平面の鏡面加工は、半導体ウエハ関連のものがほとhどで、遊離砥粒法によるものが多く、学会での発表はあまり関心を持って受け容れられなかった。
机译:图8.15是该研究的早期阶段的实验结果,并且是当氧化锆陶瓷是平面时的氧化锆陶瓷的横截面曲线的横截面曲线的变化的实验结果。 SD8000 CR [1]。工件的工件是用粒度#400的金刚石磨粒的表面(1.6μmRZ)。在处理开始之后,如前一部分所述,由于处理压力集中在工作面的顶部,因此成品表面粗糙度仅在(B)3秒仅为0.67μMRZ。此后(c)6秒后(d)1分钟后(d)15秒后,(e)1分钟,去除先前工艺表面的研磨条纹,并除去伐木,得到70nmrz的粗糙度。如上所述,由于在接近正常研磨的条件下加工平面珩磨,因此已经揭示了镜面可以在短时间内获得。然而,当时,这种平面的面向镜面具有与半导体晶片相关的东西,并且通过自由磨粒方法许多,并且在学术社会中的呈现是不可接受的并且不接受。

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