強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ

摘要

我々はこれまで、非相反損失に基づくTMモード半導体能動導波路光アイソレー－夕の実証を行ってきた。 TMモード半導体導波路光アイソレータにおいて、非相反効果をもたらす磁気光学材料として、エビタキシヤル強磁性金属MnAsを用いてきた。 今回我々はリッジ導波路型の素子の作製に成功し、波長1530-1550nmの光に対し7.2dB/mmの消光比を実現した。 横モードの制御、伝搬損失の大きさが従来の利得導波型の素子において問題となっていたが、リッジ導波路型の素子の実現により、横単一モード伝搬の確認と伝搬損失の20dBの改善に成功した。