単結晶シリコン薄膜転写技術によるプラスチック上CMOS回路動作

摘要

BOX層のウットエッチングにより形成した中空構造を有するSOIウエハと転写先基板とを純水を介して対向密着し，加熱蒸発の際に発生するメニスカスカを利用してSOI層を転写する技術を提案した．転写歩留まりを左右するBOX層のピラー形状をイオン注入によりテーパー状に制御する方法(pillar shaping implantation：PSI）を考案し，これによりSOI/BOX界面での分離·転写が可能となった．プラスチック（PET）基板上に作製したn- およびp-MOSTFTは電界効果移動度529および191 cm~2V~(-1)s~(-1)の高い値を示し，CMOS回路の動作に成功した．本手法が低温プロセスでプラスチック上に高性能CMOSデバイス作製に有効であることを実証した．