100mm径エピタキシャルAlN／サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT

摘要

100mm径エピタキシャルAlN／サファイア上へのAl{sub}0.26Ga{sub}0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を行った．作製したエピ膜の2次元電子ガス(2DEG)特性を評価したところ，室温および15Kにおいて各々2100cm{sup}2/Vs以上，25000cm{sup}2/Vs 以上（2DEG濃度：約1×10{sup}13/cm{sup}2）という極めて高いHall移動度を有する事が確認された．これは，AlNスペーサ層の挿入による合金散乱の抑制，ならびにエピタキシャルAlN膜を下地層としたことによるエピ膜の高品質化によるものと考えられた．リセスオーミック構造を有するゲート長1.5μmのHEMTを試作しそのDC特性を評価したところ，最大相互コンダクタンス約220mS/mm，最大ドレイン電流密度1A/mm以上（閾値電圧約-4.08V）という高い値が得られた．