Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討

摘要

本報告では、Silicon-on-Insulator (SOI)薄膜層の微小領域物性評価を想定した、シリコン·プローブを用いたマイクロPseudo-MOSFET (μψ-MOSFET)の有効性を検証している。 電流－電圧特性や電位分布をシミュレーションにより評価し、μψ-MOSFETの実用可能性を検証している。 シリコン·プローブを用いた場合、プローブとSOI薄膜層の接触電位の影響を考慮しても、プローブ間隔は約100nmまで縮小可能であることが示される。 また、SOI薄膜層中の濃度分布やpn接合を検出可能であることが示される。